1 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 primepack?2modulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolled4diodeundntc primepack?2modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolled4diodeandntc vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 1200v i c nom = 900a / i crm = 1800a typischeanwendungen typicalapplications ? ? anwendungenfrresonanzumrichter resonantinverterappliccations ? ? hochleistungsumrichter highpowerconverters ? ? hybrid-nutzfahrzeuge commercialagriculturevehicles ? ? motorantriebe motordrives ? ? traktionsumrichter tractiondrives ? ? windgeneratoren windturbines elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? erweitertesperrschichttemperaturt vjop extendedoperationtemperaturet vjop ? ? gro?edc-festigkeit highdcstability ? ? hohe kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender kurzschlussstrom high short circuit capability, self limiting short circuitcurrent ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? sehrgro?erobustheit unbeatablerobustness mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? 4kvac1minisolationsfestigkeit 4kvac1mininsulation ? ? erweiterter lagertemperaturbereich bis zu t stg = -55c extended storage temperature down to t stg = -55c ? ? geh?usemitcti>400 packagewithcti>400 ? ? gro?eluft-undkriechstrecken highcreepageandclearancedistances ? ? hohelast-undthermischewechselfestigkeit highpowerandthermalcyclingcapability ? ? rohskonform rohscompliant modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c i c nom 900 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 1800 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 5,10 kw gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 900 a, v ge = 15 v i c = 900 a, v ge = 15 v i c = 900 a, v ge = 15 v v ce sat 1,75 2,05 2,10 2,05 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 33,0 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,2 5,8 6,4 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 6,40 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 1,2 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 54,0 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 3,00 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 5,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,5 w t d on 0,20 0,22 0,22 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,5 w t r 0,11 0,12 0,13 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,5 w t d off 0,66 0,75 0,79 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,5 w t f 0,09 0,14 0,15 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 900 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v, di/dt = 5700 a/s (t vj = 150c) r gon = 1,3 w e on 55,0 70,0 80,0 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 900 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v, du/dt = 3200 v/s (t vj = 150c) r goff = 1,5 w e off 85,0 120 130 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 900 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 3600 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 29,5 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 14,0 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -50 150 c
3 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 900 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 1800 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 91,0 88,0 ka2s ka2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 900 a, v ge = 0 v i f = 900 a, v ge = 0 v i f = 900 a, v ge = 0 v v f 1,90 1,85 1,80 2,30 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 900 a, - di f /dt = 5700 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 500 660 710 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 900 a, - di f /dt = 5700 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 90,0 150 195 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 900 a, - di f /dt = 5700 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 40,0 80,0 90,0 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 53,5 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 25,5 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -50 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
4 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 4,0 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 33,0 33,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 19,0 19,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 400 min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 4,50 k/kw modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 18 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' 0,30 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -55 150 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm anzugsdrehmomentf.elektr.anschlsse terminalconnectiontorque schraubem4-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm4-mountingaccordingtovalidapplicationnote schraubem8-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm8-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 1,8 8,0 - - 2,1 10 nm nm gewicht weight g 825 g
5 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =1.3 w ,r goff =1.5 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 50 100 150 200 250 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c
6 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =900a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : igbt i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 1,2 0,0008 2 6 0,013 3 20 0,05 4 2,3 0,6 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =1.5 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
7 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =1.3 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =900a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : diode i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 4,5 0,0008 2 12,7 0,013 3 35,4 0,05 4 0,9 0,6 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
8 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines
9 technischeinformation/technicalinformation FF900R12IE4T igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:pl dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved.
|
